

深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產(chǎn)品: 磁簧開關(guān)
電機驅(qū)動IC-驅(qū)動IC材質(zhì)-顯示屏驅(qū)動IC
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廣東省深圳市
主營產(chǎn)品





驅(qū)動IC:LED就是發(fā)光二極管,當二極管的數(shù)量多或者管子比較耗電量大時就需要驅(qū)動了,而且是幾級驅(qū)動,抄把這幾級驅(qū)動做到一個集成的電子芯片里,這個芯片就叫驅(qū)動IC,簡單說就是發(fā)揮給二極管提供補償電流的作用。
led驅(qū)動ic的工作原理:
芯片內(nèi)含恒生電路,可透過電阻來設(shè)定輸出恒流值。透過芯片的使能端可百以控制輸出通道的開關(guān)時間,切度換頻率達一兆赫(1MHz)。電流輸出反應極快,支持高色階變化及高畫面刷新率的應用。內(nèi)建開路偵測, 過熱斷電,及過電流保護功能,使應用系統(tǒng)的可靠性大為提升。

驅(qū)動方法:
· 利用知電流值的調(diào)節(jié)方法
· 利用脈沖幅變調(diào)技術(shù)的調(diào)節(jié)方法
電流值的調(diào)節(jié)方法主要是改變電流值調(diào)節(jié)的亮度,此處假設(shè) 時的光度為1倍,白光的光度與電流變化時的光度變成1.7倍,此時的光度變成3倍,雖然照度與電流值并不是比例關(guān)系,道不過紅光卻呈比例關(guān)系,主要原因是紅、綠、藍的晶片物性彼此相異所致。
MOSFET幾種典型驅(qū)動電路(二)
模擬電路
有一段時間,MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的,因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù),如晶體管的轉(zhuǎn)導(transconductance)或是電流的驅(qū)動力上,MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進,今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系,沒有BJT的一些致命缺點,如熱破壞(thermal runaway)。另外,MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導體制造技術(shù)的進步,對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升,此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積,很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢,在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后,把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路(Mixed-signal circuits),如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter,ADC),也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。
IGBT的驅(qū)動電路特點(一)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:
IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。
IGBT與MOSFET的對比:
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
主要優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點:擊穿電壓低,工作電流小。
