PlasmaMS 300儀器組成與工作原理
ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)主要包括以下功能模塊：進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級(jí)桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測(cè)及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
圖2.1 PlasmaMS 300型結(jié)構(gòu)示意圖
其工作原理是：待測(cè)樣品通過進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)入離子源部分，在被 ICP射頻電源離子化后，在接口及離子傳輸系統(tǒng)中通過聚焦、消除干擾后進(jìn)入四極桿質(zhì)量分析器，在其中離子將按照質(zhì)荷比（m/z）大小被分開，經(jīng)過聚焦后，達(dá)到檢測(cè)器。檢測(cè)器將不同質(zhì)荷比的離子流通過接收、測(cè)量及數(shù)據(jù)處理轉(zhuǎn)換成電信號(hào)經(jīng)放大、處理后得到分析結(jié)果。
2.2 主機(jī)部件
儀器主機(jī)的主要部件有：進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級(jí)桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測(cè)及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
進(jìn)樣系統(tǒng)包含蠕動(dòng)泵、進(jìn)樣管排樣、霧化器、霧室、玻璃彎管、炬管；
ICP離子源包括包含功放箱、匹配箱；
接口單元包括接口、水腔、提取透鏡；
離子傳輸系統(tǒng)包括π透鏡、碰撞反應(yīng)池、透鏡組；
四級(jí)桿質(zhì)量分析系統(tǒng)包括四級(jí)桿、饋入件；
離子檢測(cè)及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)主要包括電子倍增器、電子倍增器支架；
真空系統(tǒng)包括機(jī)械泵、2個(gè)分子泵、真空腔體、潘寧規(guī)；
整機(jī)控制系統(tǒng)包含各種控制電路模塊。
2.3 輔助裝置
智能溫控冷卻循環(huán)水箱是重要的輔助裝置，它冷卻接口、線圈、離子源和分子泵。
穩(wěn)壓電源是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電的電子裝置。當(dāng)電網(wǎng)電壓或負(fù)載出現(xiàn)瞬間波動(dòng)時(shí)，穩(wěn)壓電源會(huì)以10ms~30ms的響應(yīng)速度對(duì)電壓幅值進(jìn)行補(bǔ)償，使其穩(wěn)定在±2%以內(nèi)。

PlasmMS 300儀器使用環(huán)境和工作條件
1) 環(huán)境溫度：15℃～26℃，室內(nèi)氣溫變化每小時(shí)不超過3攝氏度，推薦室溫22℃；
2) 相對(duì)濕度：20～60%，無冷凝。濕度大的地區(qū)請(qǐng)配備除濕機(jī)；
3) Ar純度>99.996%，配備輸出量程為1-1.6Mpa或0-2.5Mpa的氧氣壓力表或氮?dú)鈮毫Ρ恚雰x器的Ar壓力0.55Mpa~0.65Mpa，氬氣輸出端配6mm管適配器。儀器正常點(diǎn)火工作時(shí)用氣量15L/min；如果選配了He碰撞氣，請(qǐng)準(zhǔn)備He減壓閥及氣瓶一個(gè)，減壓閥量程0-0.25Mpa或者0-0.4Mpa，減壓閥后端接4mm管適配器，He氣濃度>99.999%。
4) 供電電源：總供電三相五線(3相線，零線，地線)，額定電流40A以上；主機(jī)供電需要220V單相三線(火、零、地)供電，需要不帶漏電保護(hù)的兩線或3線的32A額定電流空氣開關(guān)一個(gè)。
5) 要求通風(fēng)速度~250m3/h，在儀器抽風(fēng)口處的氣流速度~8.8m/s (請(qǐng)注意，這不是風(fēng)機(jī)的抽速要求)，建議在抽風(fēng)口加節(jié)流閥，以便調(diào)整風(fēng)速。
6) 儀器應(yīng)當(dāng)置于無煙，無腐蝕性的環(huán)境下，無振動(dòng)，不受陽光直射，遠(yuǎn)離易燃易爆危險(xiǎn)品；
7) 接地良好（接地電阻≤4Ω）。

PlasmaMS 300在金屬工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
痕量元素含量的變化對(duì)材料性能和生產(chǎn)控制有巨大影響。
PlasmaMS 300 PLASMAMS 300能在主要元素存在的條件下精確測(cè)定痕量元素，使用跳峰掃模式可以避 免主量元素、其氧化物、其雙電荷、其氫化物等的干擾，選擇同位素時(shí)應(yīng)注意避免基體離 子干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域：
在研發(fā)和專業(yè)化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域有較廣的范圍 高純陶瓷和化學(xué)品
金屬和玻璃 產(chǎn)品純度驗(yàn)證

非質(zhì)譜干擾(物理干擾)是PlasmaMS 300中存在的兩種主要干擾中的一種。 非質(zhì)譜干擾主要包括： 1.質(zhì)譜內(nèi)沉積物：可以通過適當(dāng)?shù)那鍧嵍档汀?br>2.樣品基體：這種干擾有時(shí)候可通過不同的樣品制備方法或適合的性能選項(xiàng)來降低，如使 用超聲霧化器(ultrasonic nebulizer ,USN) 或者氬氣稀釋器(Argon Gas Dilution???) 。
有五種方法可以用來校正這種類型的干擾，按照從易到難的順序排列在下面：
1. 如果檢出限允許的話，簡(jiǎn)單的辦法是對(duì)樣品進(jìn)行稀釋。
2. 使用內(nèi)標(biāo)校正
3. 使用標(biāo)準(zhǔn)加入法
4. 氬氣稀釋 (前提是需要使用ESI進(jìn)樣系統(tǒng))
5. 采用化學(xué)分離法將樣品中的基體進(jìn)行分離去除 非質(zhì)譜干擾(物理干擾)的存在有兩種表現(xiàn)形式：信號(hào)抑制、信號(hào)漂移。其中內(nèi)標(biāo)校正是使
用廣泛的用來校正物理干擾的技術(shù)手段。
在進(jìn)行多樣品序列分析時(shí)，內(nèi)標(biāo)可以用來校正隨著時(shí)間推移而發(fā)生的信號(hào)漂移。實(shí)驗(yàn)室環(huán) 境變化、樣品基體變化、樣品粘度變化等因素都會(huì)引起信號(hào)的漂移。錐口鹽沉積也會(huì)引起 信號(hào)的漂移。
如果需要測(cè)量的元素覆蓋的質(zhì)量區(qū)間范圍很大 (例如方法中既包含高質(zhì)量元素，也包含中 質(zhì)量元素或輕質(zhì)量元素)，使用多種內(nèi)標(biāo)進(jìn)行校正。
在本章第三節(jié)(內(nèi)標(biāo)選擇)中已經(jīng)詳細(xì)介紹過內(nèi)標(biāo)的使用原則，用戶可以進(jìn)行參考。
標(biāo)準(zhǔn)加入法是另外一種廣泛使用的用來校正非質(zhì)譜干擾的手段。當(dāng)基體抑制效應(yīng)無法通過 稀釋或基體剝離來去除的時(shí)候，可以用標(biāo)準(zhǔn)加入法來降低干擾。