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這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、V型槽溝道場效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（UnipolarJunctionTransistor）其中J型場效應(yīng)管是非絕緣型場效應(yīng)管，MOSFET和VMOS都是絕緣型的場效應(yīng)管VMOS是在MOS的基礎(chǔ)上改進的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管




隨著留給電源穩(wěn)壓器的電路板面積不斷減少，許多系統(tǒng)設(shè)計人員轉(zhuǎn)而使用開關(guān)頻率更快的單片式開關(guān)穩(wěn)壓器，從而減小外部元件和整體解決方案的尺寸——但是這樣做必須要接受的一個權(quán)衡是，高頻下的開關(guān)損耗會引起一定的效率損耗。使用新一代單片式開關(guān)穩(wěn)壓器可以避免這種權(quán)衡取舍。這些新的穩(wěn)壓器集成了高邊和低邊開關(guān)，具有同步操作功能，可以嚴(yán)格控制開關(guān)柵極電壓，大大縮短了死區(qū)時間，即使在高頻率下也可以實現(xiàn)更高的效率。大電流單片式開關(guān)的挑戰(zhàn)之一是能否將IC內(nèi)部功率損耗所產(chǎn)生的熱量散發(fā)掉。






這些電源引腳連有較大的電路板銅平面，使熱量分散更均勻。全新SilentSwitcher轉(zhuǎn)換器系列顯然，適合數(shù)字IC的轉(zhuǎn)換器解決方案必須具有以下特性：快速開關(guān)頻率，可使外部元件的尺寸；零死區(qū)時間設(shè)計，以使高頻效率；單芯片板載電源器件，可實現(xiàn)更小尺寸的解決方案；多相操作支持并聯(lián)工作，從而實現(xiàn)大輸出電流并減少紋波；低EMI，以滿足低系統(tǒng)噪聲要求；同步工作，可實現(xiàn)和低功率損耗；設(shè)計簡單，以縮短設(shè)計周期并簡化認(rèn)證與測試；極低輸出紋波；快速瞬態(tài)響應(yīng)時間；可在寬輸入/輸出電壓范圍內(nèi)工作；大輸出電流能力；出色的散熱性能；緊湊的尺寸。