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深圳市騰華泰電子有限公司
主營產(chǎn)品: 其他二極管
钳钶钻钹钸钼钳钼钻钺钳
德普微-DP2537C-AC-DC電源芯片
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店鋪主推品 熱銷潛力款
聯(lián)系人 楊蘇華
钳钶钻钹钸钼钳钼钻钺钳
發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
品牌 德普微
封裝 SOP-7
批號 10659421
是否跨境貨源 否
型號 DP2537C
報價方式 按實際訂單報價為準
焊接溫度 260 °C
INV Input Voltage -0.3 to 7V
Min/Max Storage Temperature T -55 to 150 °C
Drain Voltage -0.3 to 650V
數(shù)量 9999
商品介紹
深圳市騰華泰電子有限公司主營:DK112,DK1203,DK124
背景知識先進的高功率密度數(shù)字集成電路(IC),例如圖形處理器(GPU)和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),常見于功能豐富的電子環(huán)境中,包括:汽車電信數(shù)據(jù)通信工業(yè)通信游戲消費類音視頻市場滲透率如此之高,全球?qū)Υ箅娏鞯蛪簲?shù)字IC的需求激增也就不足為奇了。當前全球市場規(guī)模預估超過18億美元,預計該市場在2018年至2025年期間年增長率為10.87%,將達到37億美元。作為該市場組成部分之一,預計FPGA的市場規(guī)模到2025年底將達15.3億美元。數(shù)字IC市場的其他代表產(chǎn)品還包括GPU、微控制器和微處理器、可編程邏輯器件(PLD)、數(shù)字信號處理器(DSP)和專用集成電路(ASIC)。高功率密度數(shù)字IC幾乎已經(jīng)滲透進入所有的嵌入式系統(tǒng)。FPGA可以在上述市場領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)先進應用。
芯片內(nèi)部集成了85V功率NMOS管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二級管。東科DK5V85R15C詳細規(guī)格資料。這套快充方案的協(xié)議芯片搭配了天鈺的FP6606C。這是一顆支持PD3.0協(xié)議和其他快充協(xié)議的協(xié)議IC,支持過電壓保護和VBUS放電功能,采用SOP8封裝。天鈺的FP6606C詳細規(guī)格資料。使用ChargerLABPOWER-ZKT001檢測充電器的輸出協(xié)議,顯示支持DCP、QC2.0、QC3.0、AFC、FCP等協(xié)議。輸出PDO顯示,該參考設(shè)計支持USBPD2.0協(xié)議,并有5V/3A]、9V/2A、12V/1.5、15V/1.2A四組是電壓。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給iPhone11ProMax充電,顯示電壓9.06V,電流1.97A,充電功率約為17.9W,開啟USBPD快充。
芯片低功耗驗證簡介本文主要從低功耗技術(shù),設(shè)計到驗證環(huán)境到testcase進行一個概要介紹,給大家呈現(xiàn)一個基本的認識,如有不懂,大家可討論留言。1:動態(tài)頻率調(diào)整:意思是在IC在工作過程中可以改變頻率而不影響正常工作。也就是常說的動態(tài)變頻,是低功耗設(shè)計中一種常見,基本的低功耗設(shè)計。2:局部斷電,區(qū)分多個powerdomain。添加電源開關(guān)。3:關(guān)閉時鐘。在芯片部分邏輯不工作的情況下,可以關(guān)閉時鐘,以減少芯片內(nèi)部邏輯翻轉(zhuǎn)導致動態(tài)功耗增加。2:下電上電順序,也是是說,在低功耗設(shè)計中需要嚴格的進行上下電順序的分析,研究,哪些需要先上電,哪些后上電。
背景知識先進的高功率密度數(shù)字集成電路(IC),例如圖形處理器(GPU)和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),常見于功能豐富的電子環(huán)境中,包括:汽車電信數(shù)據(jù)通信工業(yè)通信游戲消費類音視頻市場滲透率如此之高,全球?qū)Υ箅娏鞯蛪簲?shù)字IC的需求激增也就不足為奇了。當前全球市場規(guī)模預估超過18億美元,預計該市場在2018年至2025年期間年增長率為10.87%,將達到37億美元。作為該市場組成部分之一,預計FPGA的市場規(guī)模到2025年底將達15.3億美元。數(shù)字IC市場的其他代表產(chǎn)品還包括GPU、微控制器和微處理器、可編程邏輯器件(PLD)、數(shù)字信號處理器(DSP)和專用集成電路(ASIC)。高功率密度數(shù)字IC幾乎已經(jīng)滲透進入所有的嵌入式系統(tǒng)。FPGA可以在上述市場領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)先進應用。
芯片內(nèi)部集成了85V功率NMOS管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二級管。東科DK5V85R15C詳細規(guī)格資料。這套快充方案的協(xié)議芯片搭配了天鈺的FP6606C。這是一顆支持PD3.0協(xié)議和其他快充協(xié)議的協(xié)議IC,支持過電壓保護和VBUS放電功能,采用SOP8封裝。天鈺的FP6606C詳細規(guī)格資料。使用ChargerLABPOWER-ZKT001檢測充電器的輸出協(xié)議,顯示支持DCP、QC2.0、QC3.0、AFC、FCP等協(xié)議。輸出PDO顯示,該參考設(shè)計支持USBPD2.0協(xié)議,并有5V/3A]、9V/2A、12V/1.5、15V/1.2A四組是電壓。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給iPhone11ProMax充電,顯示電壓9.06V,電流1.97A,充電功率約為17.9W,開啟USBPD快充。
芯片低功耗驗證簡介本文主要從低功耗技術(shù),設(shè)計到驗證環(huán)境到testcase進行一個概要介紹,給大家呈現(xiàn)一個基本的認識,如有不懂,大家可討論留言。1:動態(tài)頻率調(diào)整:意思是在IC在工作過程中可以改變頻率而不影響正常工作。也就是常說的動態(tài)變頻,是低功耗設(shè)計中一種常見,基本的低功耗設(shè)計。2:局部斷電,區(qū)分多個powerdomain。添加電源開關(guān)。3:關(guān)閉時鐘。在芯片部分邏輯不工作的情況下,可以關(guān)閉時鐘,以減少芯片內(nèi)部邏輯翻轉(zhuǎn)導致動態(tài)功耗增加。2:下電上電順序,也是是說,在低功耗設(shè)計中需要嚴格的進行上下電順序的分析,研究,哪些需要先上電,哪些后上電。
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公司名稱 深圳市騰華泰電子有限公司
聯(lián)系賣家 楊蘇華 (QQ:110455796)
電話 钳钶钻钹钸钼钳钼钻钺钳
手機 钳钶钻钹钸钼钳钼钻钺钳
傳真 钺钵钼钼-钹钴钸钷钷钹钻钸
網(wǎng)址 http://www.tenghuatai.com/
地址 廣東省深圳市