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電光調(diào)制器的基本原理

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電光調(diào)制器的基礎(chǔ)是電光效應(yīng)。根據(jù)電光晶體的折射率變化量和外加電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系，電光效應(yīng)可分為線性電光效應(yīng)(泡克耳斯效應(yīng))和二次電光效應(yīng)(克爾效應(yīng))。因?yàn)榫€性電光效應(yīng)比二次電光效應(yīng)的作用效果明顯，因此實(shí)際中多用線性電光調(diào)制器對(duì)光波進(jìn)行調(diào)制。線性電光調(diào)制器可分為縱向的和橫向的。在縱向的調(diào)制器中，電場(chǎng)平行于光的傳播方向，而橫向調(diào)制器的電場(chǎng)則垂直于光傳播的方向。

電光調(diào)制器系列

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850nm電光強(qiáng)度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強(qiáng)度調(diào)制器采用先進(jìn)的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點(diǎn)，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時(shí)間基準(zhǔn)、脈沖發(fā)生器、量子光學(xué)等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強(qiáng)度調(diào)制器     

LiNbO3強(qiáng)度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中?；贛Z推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計(jì)的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達(dá)、光纖傳感等領(lǐng)域。

電光調(diào)制器

鈮酸鋰電光相位調(diào)制器具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓、高損傷光功率等特點(diǎn)，主要用于高速光通信系統(tǒng)中光啁啾控制，相干通信系統(tǒng)中的相移，ROF系統(tǒng)中邊帶的產(chǎn)生以及減小模擬光纖通信系統(tǒng)中的受激布理淵散射(SBS)等領(lǐng)域。

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