MOS場效應(yīng)管 PMV20XN PMV20XN NEXPERIA 2019 SOT23-5工廠價(jià)格優(yōu)惠
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MOS場效應(yīng)管-PMV20XN-PMV20XN-NEXPERIA

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
數(shù)量 35000
Q Q 2530694866
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
型號 PMV20XN
品牌 PMV20XN NEXPERIA
批號 2020+
封裝 SOT23
交易說明 工廠價(jià)格優(yōu)惠
QQ 2530694866
商品介紹

一般信息

標(biāo)準(zhǔn)包裝  3,000
包裝  標(biāo)準(zhǔn)卷帶 
零件狀態(tài) -
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
系列-
其它名稱568-7534-2
934065648215


規(guī)格

FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）25 毫歐 @ 4.8A，4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）10nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）585pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）510mW（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3


聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 （QQ：2530694866）
電話 莵莽莻莻-莶莾莽莶莵莺莺莺
手機(jī) 莸莾莽莹莻莻莼莵莹莹莹
傳真 莵莽莻莻-莶莹莶莵莵莶莶莼
地址 廣東省深圳市
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