STW78N65M5 STM 21+ TO247
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 STW78N65M5
品牌 STM
批號 21+
封裝 TO247
QQ 847049310
數(shù)量 20000
最大功率耗散 (Abs) 450 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 276 A
參考標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101
子類別 FET General Purpose Power
商品介紹
型號 STW78N65M5  品牌 STM 
批號 21+  封裝 TO247 
QQ 847049310 
參數(shù)名稱參數(shù)值
Source Content uidSTW78N65M5
Brand NameSTMicroelectronics
生命周期Active
包裝說明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代碼EAR99
Factory Lead Time17 weeks
風(fēng)險等級1.62
Samacsys DescriptionSTMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Through Hole
Samacsys ManufacturerSTMicroelectronics
雪崩能效等級（Eas）2000 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓650 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)69 A
最大漏極電流 (ID)69 A
最大漏源導(dǎo)通電阻0.032 Ω
FET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼TO-247
JESD-30 代碼R-PSFM-T3
JESD-609代碼e3
元件數(shù)量1
端子數(shù)量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度150 °C
封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
封裝形狀RECTANGULAR
封裝形式FLANGE MOUNT
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)450 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)276 A
參考標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
子類別FET General Purpose Power
表面貼裝NO
端子面層Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶體管應(yīng)用SWITCHING
晶體管元件材料SILICON

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市唯有度科技有限公司
聯(lián)系賣家 屈巧弟 （QQ：847049310）
電話 䀍䀓䀔䀔-䀒䀑䀔䀓䀓䀌䀌䀐
手機(jī) 䀋䀔䀒䀋䀒䀔䀒䀑䀎䀎䀒
地址 廣東省深圳市
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