傳輸錢(qián)可以看成由許多電感、電容組成的耦合鏈
因此，傳輸錢(qián)可以看成由許多電感、電容組成的耦合鏈，從而產(chǎn)生了新的傳輸能量的方式。當(dāng)信號(hào)電壓U1加在圖2的輸入端(1、3端)時(shí)，出于傳輸線(xiàn)間電容較大，因此信源向電容C1充電，使C1貯能。而C1又通過(guò)電感L1放電，使電感貯能．電能變?yōu)榇拍?。然后，電感Ll又向電容C2充電，磁能又變成了電能。如此循環(huán)不止，且把電磁能送到終端負(fù)載，最后被負(fù)載吸收。如果忽略了導(dǎo)線(xiàn)的歐姆損耗及導(dǎo)線(xiàn)問(wèn)的介質(zhì)損耗則輸出端能量將等于輸入端的能量，也就是說(shuō)，通過(guò)傳輸線(xiàn)變壓器，負(fù)載可以取得信源供給的全部能量。
中國(guó)動(dòng)力電池即將大規(guī)模走向國(guó)際

電機(jī)控制器價(jià)格貴，核心器件IGBT大多進(jìn)口，譬如英飛凌公司的產(chǎn)品，今年這一狀態(tài)得到極大改善，2018年大約40%的IGBT來(lái)自中國(guó)企業(yè)，譬如比亞迪，所以IGBT這一關(guān)鍵核心器件已經(jīng)被攻克。另外一個(gè)，IGBT之后很快要取代IGBT的是碳化硅，碳化硅是一個(gè)更先進(jìn)的做控制器的電力電子芯片，頻率可以做到很高、效率可以做到很高、體積可以非常小。體積功率密度可以做到每升100千瓦，比現(xiàn)在要減少大概百分之七八十。中國(guó)也開(kāi)發(fā)出了自主的控制器，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有四五個(gè)團(tuán)隊(duì)在做產(chǎn)業(yè)化。

特斯拉Model3使用的控制器就是碳化硅，比亞迪也宣布在2023年將由碳化硅替代，估計(jì)在2025年會(huì)全的由碳化硅取代IGBT，這樣做的優(yōu)勢(shì)一個(gè)是驅(qū)動(dòng)效率會(huì)提高幾個(gè)百分點(diǎn)，第二個(gè)體積會(huì)降低百分之七八十。

臺(tái)積電加速推進(jìn)3nm工藝：要2020年量產(chǎn)！

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電3nm工廠(chǎng)通過(guò)環(huán)境評(píng)測(cè)，依據(jù)原定時(shí)程，座3nm廠(chǎng)可望在2020年動(dòng)工，最快2022年底量產(chǎn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新紀(jì)元。

對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，加速推進(jìn)3nm工藝，主要原因是，防止對(duì)手三星加快投資腳步，同時(shí)也是不希望因?yàn)榄h(huán)評(píng)案不通過(guò)，延緩自家興建晶圓18廠(chǎng)第四到六期新廠(chǎng)的規(guī)劃。

依照臺(tái)積電規(guī)劃藍(lán)圖，3納米應(yīng)可在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，成為家提供晶圓代工服務(wù)，同時(shí)解決很多AI人工智能芯片功效更強(qiáng)大的晶圓代工廠(chǎng)。

臺(tái)積電目前是蘋(píng)果A12、高通驍龍855、華為麒麟980等處理器的代工廠(chǎng)商，而明年年初他們要對(duì)現(xiàn)有的7nm工藝升級(jí)，主要是加入了極紫外光刻(EUV)技術(shù)。