反向特性：二極管外加反向偏置電壓時(shí)的V-I特性

P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級為：硅管nA級，鍺管大mA級。

溫度升高時(shí)，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

    基于二極管的TVS產(chǎn)品擁有其它ESD保護(hù)產(chǎn)品所不具備的多用性——可選擇單向和雙向保護(hù)?；径O管是單向產(chǎn)品，且是僅有的單向保護(hù)元件。串聯(lián)結(jié)合兩個(gè)二極管就能輕易地構(gòu)成雙向保護(hù)。雙向保護(hù)可通過共陰極或共陽極配置來實(shí)現(xiàn)。使用一對單向TVS器件便能實(shí)現(xiàn)雙向保護(hù)性能。市面上有多種基于雙向二極管的TVS器件，這些器件中的兩個(gè)二極管均位于同一個(gè)封裝，甚至經(jīng)常集成在單個(gè)硅襯底上。

瞬態(tài)抑制二極管是一種能把瞬態(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平的高效能保護(hù)器件。瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時(shí)態(tài)的畸變，會對微電子半導(dǎo)體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬態(tài)電壓侵襲后,它的性能沒有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成內(nèi)傷而形成隱患。瞬態(tài)抑制二極管能夠有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。