基于二極管的TVS產(chǎn)品擁有其它ESD保護(hù)產(chǎn)品所不具備的多用性——可選擇單向和雙向保護(hù)。基本二極管是單向產(chǎn)品，且是僅有的單向保護(hù)元件。串聯(lián)結(jié)合兩個(gè)二極管就能輕易地構(gòu)成雙向保護(hù)。雙向保護(hù)可通過(guò)共陰極或共陽(yáng)極配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。使用一對(duì)單向TVS器件便能實(shí)現(xiàn)雙向保護(hù)性能。市面上有多種基于雙向二極管的TVS器件，這些器件中的兩個(gè)二極管均位于同一個(gè)封裝，甚至經(jīng)常集成在單個(gè)硅襯底上。

過(guò)去，硅TVS器件由于電容高，在保護(hù)低壓高速信號(hào)線路方面存在劣勢(shì)。然而，近年來(lái)的技術(shù)進(jìn)步消除了這種不利因素。安森美半導(dǎo)體的新產(chǎn)品ESD9L5.0將硅器件保護(hù)的優(yōu)勢(shì)與高速應(yīng)用要求的低電容結(jié)合在一起。這個(gè)產(chǎn)品的特性就像一個(gè)簡(jiǎn)單的齊納二極管。事實(shí)上，ESD9L5.0包含一個(gè)擊穿電壓低的齊納二極管和一對(duì)擊穿電壓高(因而電容小)的標(biāo)準(zhǔn)二極管。

反向特性：二極管外加反向偏置電壓時(shí)的V-I特性

P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過(guò)PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級(jí)為：硅管nA級(jí)，鍺管大mA級(jí)。

溫度升高時(shí)，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。