NTMS4N01R2

NTMS4N01R2

NTMS4N01R2   NTMS4N01R2

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: N  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 45 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.5 mm  

長度: 5 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 4 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 10 S  

下降時間: 50 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 35 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 45 ns  

典型接通延遲時間: 13 ns  

單位重量: 187 mg  

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