生產晶書鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學玻璃用,化工中可作催化劑。

當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品

中國航天科工飛航技術研究院的劉華松等研究人員采取正交實驗法系統(tǒng)地研究了離子束濺射制備的Ta2O5薄膜光學帶隙，基于Cody-Lorentz介電常數(shù)物理模型，通過光譜反演計算獲得薄膜的禁帶寬度和Urbach帶尾寬度，后得到了Ta2O5薄膜禁帶寬度和Urbach帶尾寬度的調整方法

Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。