PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積）設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng)；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

設(shè)備用途和功能特點(diǎn)

1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)、水壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)。

3. 配置尾氣處理裝置。

單室PECVD設(shè)備/控制系統(tǒng)

五室PECVD設(shè)備

六室太陽(yáng)能薄膜電池設(shè)備PECVD+磁控濺射

設(shè)備安全性設(shè)計(jì)

1、電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

2、設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

3、溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

工作條件

 關(guān)于鵬城半導(dǎo)體

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱：鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場(chǎng)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場(chǎng)的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備

|真空鍍膜機(jī)專用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績(jī)分布

完全自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長(zhǎng)室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10^-8Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至今仍在正常使用。

設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備。現(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國(guó)家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)LED無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2001年    與南昌大學(xué)合作

設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年    與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了第一臺(tái)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導(dǎo)體材料。

2006年    與中國(guó)科技大學(xué)合作

設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)。

2007年    與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作

設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2015年    中科院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。

2017年

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。

2019年   設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。

2021年   MBE生產(chǎn)型設(shè)計(jì)。

2022年   大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。

2023年   PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。