生產(chǎn)型TGV/TSV/TMV磁控濺射鍍膜機（Sputter-2000W系列）該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。

本設(shè)備優(yōu)點：膜層均勻性及重復(fù)性高，膜層附著力強，設(shè)備依據(jù)工藝配方進(jìn)行可編程自動化控制。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
-單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室

-臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)

-線列式、團簇式

-樣品傳遞：直線式、圓周式

-磁控濺射靶數(shù)量及類型：多支矩形磁控靶     

-磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容

-基片可加熱、可升降、可加偏壓         

-通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜

-操作方式：手動、半自動、全自動

-基片托架：根據(jù)基片尺寸配置

-基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶指定尺寸

-進(jìn)/出樣室極限真空度：≤8X10-5Pa

-進(jìn)/出樣室工作背景真空度：≤2X10-3Pa

-鍍膜室的極限真空度：5X10-5Pa,

工作背景真空度：8X10-4Pa

-膜層均勻性：<5%（片內(nèi)），<5%（片間）

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機12小時真空度≤10Pa

工作條件